Abstract

Estudios de difracción de rayos-X, Microscopia Electrónica de Barrido, Microscopia Electrónica de Alta Resolución, se han realizado del material semiconductor laminar TlInS2 para dilucidar su estructura cristalina, la cual ha permanecido ambigua a través de varias décadas. De igual manera, en trabajos recientes se ha reportado que este material en condiciones ambientales puede cristalizar en varios politipos con estructura monoclínica, los cuales pueden estar presentes en una misma muestra. En este estudio se encontró que el TlInS2 cristaliza a temperatura ambiente en la estructura monoclínica, grupo espacial C2/c, con parámetros de red a = 8.609 Å, b = 14.904 Å, c = 9.471 Å, β = 110.44°, no se encontró la presencia de más de un politipo en la muestra estudiada. Adicionalmente los resultados obtenidos han sido comparados con los derivados previamente a través de un análisis de los modos de vibración del compuesto por medio de Espectroscopia Raman.